期刊档案 · 工程技术-工程：电子与电气
IEEE Transactions on Electron Devices
ISSN 0018-9383 · eISSN 1557-9646 · Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. · UNITED STATES · Monthly
IEEE Transactions on Electron Devices 中科院 工程技术 3区（2025 年升级版），影响因子 3.52，订阅期刊，APC 约 2,645 美元，投稿社区反馈审稿约 4.7 个月，录用比例较易（社区反馈），2025 年发文 1,105 篇，SCIE、Scopus 收录。
研究范围
研究范围与定位
IEEE Transactions on Electron Devices 由 Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. 出版，属中科院工程技术大类（2025 升级版3区）。按 OpenAlex 近年发文统计，该刊主要发表 Semiconductor materials and devices、Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design、Silicon Carbide Semiconductor Technologies 等主题的论文，这 3 个主题约占 44.3%，主导子领域为 Electrical and Electronic Engineering。（根据 OpenAlex 主题统计与中科院分区数据生成）
IEEE Transactions on Electron Devices publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanoelectronics, optoelectronics, photovoltaics, power ICs and micro-sensors. Tutorial and review papers on these subjects are also published and occasional special issues appear to present a collection of papers which treat particular areas in more depth and breadth.
来源：LetPub
研究方向（LetPub）：工程技术-工程：电子与电气
主要研究主题 OpenAlex 近年发文统计，占比为近似值
- Semiconductor materials and devicesEngineering19.8%
- Advancements in Semiconductor Devices and Circuit DesignEngineering17.8%
- Silicon Carbide Semiconductor TechnologiesEngineering6.8%
- Semiconductor Quantum Structures and DevicesPhysics and Astronomy5.4%
- Ferroelectric and Negative Capacitance DevicesEngineering4.3%
- Thin-Film Transistor TechnologiesEngineering4.2%
- GaN-based semiconductor devices and materialsPhysics and Astronomy4%
- Integrated Circuits and Semiconductor Failure AnalysisEngineering4%
分区与收录
学科分区与数据库收录
中科院期刊分区表
期刊分区表（ 2025年3月升级版）工程技术 3 区
| 类别 | 学科 | 分区 |
|---|---|---|
| 大类 | 工程技术 | 3 区 |
| 小类 | 工程：电子与电气ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | 3 区 |
| 小类 | 物理：应用PHYSICS, APPLIED | 3 区 |
Top 期刊：否综述期刊：否
《新锐期刊分区表》（ 2026年3月发布）工程技术 3 区
| 类别 | 学科 | 分区 |
|---|---|---|
| 大类 | 工程技术 | 3 区 |
| 小类 | 工程：电子与电气ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | 3 区 |
| 小类 | 物理：应用PHYSICS, APPLIED | 3 区 |
Top 期刊：否综述期刊：未标注
期刊分区表（ 2023年12月旧的升级版）工程技术 2 区
| 类别 | 学科 | 分区 |
|---|---|---|
| 大类 | 工程技术 | 2 区 |
| 小类 | 物理：应用PHYSICS, APPLIED | 2 区 |
| 小类 | 工程：电子与电气ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | 3 区 |
Top 期刊：否综述期刊：否
数据库收录
SCIEScopusLetPub
国际期刊预警名单：各版本均未列入LetPub
不同版本、大类与小类分别展示，不将不同评价口径合并为一个分区值；投稿与考核前请确认所在机构采用的版本。
指标
影响力指标与发文规模
影响力指标
- 影响因子
- 3.52LetPub ·
- CiteScore 2026-06
- 6.5LetPub ·
- SJR 2026-06
- 0.81LetPub ·
- SNIP 2026-06
- 1.4LetPub ·
- h-index
- 165LetPub ·
- h-index
- 277OpenAlex ·
- i10-index
- 16,823OpenAlex ·
- 两年平均被引
- 3.62OpenAlex ·
- 自引率
- 13.9%LetPub ·
- Gold OA 文章占比
- 3.41%LetPub ·
发文规模
- 年文章数
- 1,015LetPub ·
逐年发文量 OpenAlex 统计 · 累计 33,203 篇 · 当年数据不完整
| 年份 | 发文量 | 其中 OA | 被引 |
|---|---|---|---|
| 2026 | 852 | 57 | 216 |
| 2025 | 1,105 | 86 | 2,943 |
| 2024 | 1,205 | 157 | 8,280 |
| 2023 | 1,173 | 194 | 12,857 |
| 2022 | 1,189 | 211 | 16,162 |
| 2021 | 1,130 | 228 | 19,441 |
不同来源的统计口径与观测时间不同，页面保留各来源原值；“出版商公布”为期刊官网自述数据。
审稿与录用
审稿周期与录用情况
- 平均审稿速度（社区反馈）
- 平均4.7个月LetPub ·
- 平均录用比例（社区反馈）
- 较易LetPub ·
社区反馈来自投稿者样本，置信度 0.5，不代表期刊承诺；“出版商公布”的时间节点定义以官网为准。
费用与开放获取
版面费与开放获取政策
订阅期刊LetPub
订阅期刊，文章需订阅或购买阅读，通常不收取版面费。
| 来源 | 文章处理费 | 费用减免 | 许可证 | 观测时间 |
|---|---|---|---|---|
| OpenAlex | USD 2,645 | — | — |
费用以期刊官网为准；不同来源的观测时间可能不同，页面保留各来源原值，不做平均。
基本信息
出版信息与官方入口
- 出版商
- Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
- 出版国家或地区
- UNITED STATES
- 出版语言
- English
- 出版周期
- Monthly
- ISSN
- 0018-9383
- 电子版 ISSN
- 1557-9646
常见问题
关于 IEEE Transactions on Electron Devices 的常见问题
IEEE Transactions on Electron Devices 是中科院几区期刊？
2025 年升级版分区表中，IEEE Transactions on Electron Devices 为工程技术 3区，小类 工程：电子与电气 / 物理：应用 3 区。2026 年新锐版分区表中为工程技术 3区。不同版本与大小类分区不能混用。
IEEE Transactions on Electron Devices 的影响因子是多少？
LetPub 汇总的最新公布影响因子为 3.52，CiteScore 为 6.5，h-index 为 277。
IEEE Transactions on Electron Devices 的审稿周期多长？
投稿社区反馈的平均审稿速度为约 4.7 个月，平均录用比例反馈为“较易”。文章统计只含被录用的稿件，出版商数据口径以官网为准，社区反馈来自投稿者样本，均不代表期刊承诺。
IEEE Transactions on Electron Devices 被哪些数据库收录？
据 LetPub 与 DOAJ 记录，IEEE Transactions on Electron Devices 被 SCIE、Scopus 收录。
IEEE Transactions on Electron Devices 是开放获取期刊吗？版面费多少？
IEEE Transactions on Electron Devices 为订阅期刊。APC 约 2,645 美元。
来源与更新
本页事实来自 LetPub、OpenAlex；每个数字旁标注来源与观测日期，冲突数据保留各来源原值。LetPub 原始详情页：查看 ↗（2026-08-25 归档）。最近更新：。